带电的超级注入皮秒闪存设备工作机构。 ■本报纸的实习生记者您遇到了这样的片刻 - 我只写了一半的文章，在我保存下来之前，计算机突然关闭了。重新启动时，我只能对空白文档感到烦恼，并提醒自己下次及时保存它。如果被限制时可以自动保存，则非常出色！ Fudan University和年轻的研究员Liu Chunsen开发的“ Pox” Picsecond闪存设备有望在不久的将来缓解这个问题。团队减少了破坏信息加速速度极限的现有闪存技术路径，可以满足人工智能（AI）的要求，以实现非常高的计算强度和出色的能量，并帮助AI模型以非常快速的速度运行。 4月16日，相关研究在自然界发表。经过十年的探索，两者都有TES和手机有两个存储系统：“内存操作”和“身体内存”。前者的操作速度很快，但容量很小。切断电源后，将对所有数据进行排序。学术界称其为“记忆的Pabagu变化”；后者的容量很大，尽管强度突然过时，但无需记住数据丢失，但是操作速度非常慢。他们的科学名称称为“非易失性记忆”。长期以来，为了同时满足操作速度和存储容量的操作，挥发性内存和非佛罗里达州内存必须一起工作 - 波动性内存负责文档编辑，照片处理等，并且修改后的信息由非记忆内存保存。人们长期以来一直在这种操作模式下使用。随着信息存储技术的发展，保留了越来越重要的体验，为AB奠定了基础信息时代的不变。但是，在“大数据”驱动的AI期间，现有的层次存储架构无法再满足计算芯片对非常高的计算强度和能源效率的需求。 "In view of the power of computing and the energy efficiency requirements of AI computing, the speed of information access directly determines the upper limit of computing power, rather than the unstable storage technology is the key to sheddingIt is an ultra-low power consumption. Therefore, the point of collapse lies in solving the most critical scientific problem in the field of integrated circuits, especially the non-volatile speed of information in the field. Liu Chunsen told China Science Daily. Due至于其独特的物理特性，二维材料具有相同的导体，半导体和绝缘体性能，并且在小型整合电路中具有巨大的潜力，从而提高了稳定性和新内存的发展几年前，周彭的团队开始制定计划，并开始打破现有的存储技术的瓶颈，并开发了第三种存储技术，并利用了现有的两种存储。 2015年，Liu Chunsen到达Fudan University，在周彭（Zhou Peng）的领导下攻读医生和研究。他开始尝试使用二维半导体材料制作记忆。 “这项成功是我们团队的'十年协议'。” Liu Chunsen说：“在过去的10年中，该团队专注于速度访问速度的限制，加深了其对存储技术的努力，而储存技术不可阻挡以闪存为代表，并继续提高其运行速度。”在2018年，该团队设计了一个半浮动晶体管结构，该结构由多二维堆叠材料组成，并构建了二维半导体准非通用存储原型设备。当时的写作速度比USB驱动器快10,000倍，解决了问题很难实现“速度写作”和“一致”。在团队成为MORETHE的内存结构之后，闪存速度继续提高，并在2021年，2023年和2024年取得了成功。其中，在2024年，该团队获得了1KB Nansecond Ultra-flast阵列的最大综合验证，这是世界上第一次的第一次，并且它可以证明其超级属性可以扩展到不足的属性。这款超小型设备具有20纳秒的超快速编程，10年的一致性，100,000个循环生活和多态性存储性能，并且单个设备的生命周期为800万。目前，团队从基础机制变化，而开发的“黎明” Picsecond闪存设备的擦除速度为1纳秒（400 picseconds），每秒为25亿次，等于工作计算机芯片的速度（每秒10亿至30亿次）。作为卡拉加达甘（Karagdagan），操作该设备的拉力小于5伏，预计将来会减少，并且对能源消耗有很大的好处。 “目前，'Dawn'是全球最快的半导体电荷存储设备，其性能比同一技术节点下的最快的SMAM新技术的性能更高。”周回到过去10年后，周叹了口气：“在实现这一令人不安的结果的过程中，我们在此过程中选择了许多不同的花朵。”随着研究继续加深，破坏了公约并破坏了边界，逐渐意识到，在现有框架下，很难在闪存速度上取得令人不安的成功。在2020年，基于早期积累，团队定义为破坏现有系统并打破存储F的速度并根据物理的第一原理访问。 2023年6月，2022年的西安·尤东（Xiang Yutong）在福丹大学（Fudan University）学习医生，接受了这个项目。洛杉矶三个月Ter，Wang Chong，2023年，在Fudan University学习医生，也参加了这项工作。对于两个后的两个后，最大的挑战是改变他们的思想。 “我们想开发一种新的品牌架构，我们无法提及现有的理论，因此很容易陷入原始思维，无法打破传统的闪存技术的框架。”他们承认。为了测试闪存速度，他们两个确实花了一些时间。 “在实验室之前的设备只能支持纳秒闪存测量，'Dawn Speed'达到400秒钟。我们已经想到了许多产生Aparato的方法可以满足高速测试的要求。”在进行进行的探索之后，团队逐渐在他们的脑海中建立了一个新的记忆理论框架，并最终在“黎明”中创建了一个令人惊叹的首次亮相。硅闪光灯的注入电荷，这是速度加速速度的主要原因。我们结合了二维狄拉克能带结构和弹道传输的特性，以实现在存储层中过度注入通道电荷的，该储存层表示为无限注入。L方式，因此实现了数据编写。读取数据时，可以通过发现当前的更改来确定存储的“ 0（充电）”或“ 1（无电荷）”。在先前艺术的框架下，尽管可以通过提高电压和交换效率来提高闪光注入的速度，因为注入高潮充电，但高压的积极影响可以发挥作用。 “传统的闪存就像'攀爬'楼梯一样。由于人们的体力有限，无论其全部，平均速度肯定不会很快。无限多余注射的新机制可以理解为“飞行”，而速度我是速度I刘·春森说。 We should focus on cutting and finding another way, use new materials to achieve technological successes, and move on to the main production of integrated circuits." Although the breakthrough of the laboratory from "0 to 1" is exciting, it is more important to use it for humans. The team's original intent was to solve industry's disease points by updating the two-dimensional semiconductor materials and technologies and help developing the integrated circuit industry. Currently, the team starts from the "Dawn"加速Picsecond闪存设备的工业化的原型设备。torage。这些设备还具有与AI相关的AI计算功能。 “值得一提的是，“黎明”记忆设备的稳定性完全取决于过程流的一致性，而科学家正在通过AI算法优化过程的测试条件，可以推进创新技术和实施。”预计非易失性闪存技术将恢复全球存储技术，促进工业升级并孕育新的应用情况，还将为我的国家提供强大的支持，以实现技术领导。 “朱彭说。因此，周将picsecond闪存设备命名为“破晓” - “破坏” - “破坏”和“ phe”和“ phe”和“ phecing”。与此同时，黎明是黎明首次出现在阳光下的那一刻。我们希望这项技术能够帮助中国半束工业在黑暗的时间内实时在黑暗的时间内实时Darkest Tharkest Paper Paper Paper Moffer dawn Complacest Paper Moffice dawn Compalial Paper Moffice dawn dawn“ dawn”。 https://dii.org/10.1038/s41586-025-08839-W